Antireflex (AR) beschichtete Laserdioden

Anti-Reflex (AR) beschichtete Laserdioden von Ushio werden mit einer Vorderseitenreflexion von <0,1 % gefertigt – möglich durch unser einzigartiges Chipdesign und fortschrittliche Beschichtungstechnologie.
Im Gegensatz zu herkömmlich beschichteten Fabry-Perot-Laserdioden verfügen unsere LDs über eine breite Verstärkungsbandbreite und eignen sich ideal für extern resonatorgestützte Laser mit abstimmbarer Wellenlänge.

In Kombination mit Beugungsgittern oder Interferenzfiltern ermöglichen sie Laserschwingungen in definierten Wellenlängenmoden mit schmaler Linienbreite. Diese Eigenschaften machen sie besonders geeignet für Anwendungen in der Quantentechnologie – etwa in optischen Gitteruhren, zur Laserkühlung oder in der hochpräzisen Spektroskopie.

Für diesen Bereich bieten wir Laserdioden in drei Wellenlängen an: 671 nm, 689 nm und 698 nm.
Ushios Chips liefern eine zuverlässige optische Ausgangsleistung von 200 mW und sind für den Betrieb bei Umgebungstemperaturen von bis zu 75 °C ausgelegt. Die Verstärkungsspitze erstreckt sich über 10 nm und kann präzise über die Temperatur gesteuert werden.

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Antireflex (AR) beschichtete Laserdioden
Vorteile
  • Antireflexionsbeschichtung (AR)
  • Große Verstärkungsbandbreite für abstimmbare Laser
  • Verfügbare Wellenlängen: 671 nm, 689 nm, 698 nm
  • Hohe optische Ausgangsleistung (200 mW)
  • Hochtemperaturbetrieb (75°C)
  • Abstimmbare Verstärkungsspitze (10 nm+) über Temperaturregelung
Anwendungen
  • Quantentechnologie
  • Laserdioden für externe Resonatoren

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